Mae silicon polycrystalline yn cynnwys llawer o grisialau sengl bach a drefnir mewn modd nondirectional, felly mae cymaint o'i briodweddau sylfaenol yr un fath â rhai silicon monocrystalline. Y prif wahaniaeth yw bod ffiniau grawn rhwng gronynnau crisial sengl mewn silicon polycrystalline, ac yn aml mae llawer o atomau silicon amorffaidd ac atomau amhuredd yn y ffiniau grawn.
Yn y grawn gerllaw ffin y grawn, mae yna hefyd fwy o ddatgymaliadau, diffygion, straen a straen, gan wneud bywyd cludwyr ffotograffig a gynhyrchir gan olau dynol yn polysilicon yn gymharol fyr. Felly, mae'r cerrynt cyfansawdd mewn celloedd solar polysilicon yn fawr, ac nid yw'r foltedd cylched agored, cerrynt cylched byr, ffactor llenwi ac effeithlonrwydd mor uchel â'r rhai mewn celloedd silicon monocrystalline.
Ac mae'r arbennig ffotodrydanol arbennig ~ 10 math o dechnoleg band silicon yn yr astudiaeth, mae pedwar yn fwy aeddfed, sef: (1) dull ffilm bwydo ymyl (EFG); (2) dull dendrite neidio (DB); Dull silindr silicon (SB); (4) dull chwistrellu trydan. Mae'r silicon gyda thrwch o tua 200 o ddeunyddiau wedi ei gael drwy'r pedwar dull hyn. Pan edrychir ar hyd cyfeiriad twf silicon gyda chyfeiriadedd grisial unffurf, a phan edrychir arno ar hyd lled lled band, mae'r cyfeiriad grisial yn fwy cymhleth, felly fe'i gelwir yn aml mai silicon semicrystalline yw silicon â strwythur crisial ffibrog. Mae celloedd solar a wnaed o wafferi silicon hanner crisialog wedi cyflawni effeithlonrwydd cyfartalog o fwy na 10 y cant, ac mae rhai wedi cyrraedd 15 y cant.
Yn eu plith: (1) dull ffilm bwydo ymylol, yw defnyddio'r mowld graffit wedi'i engrafu gyda'r trochiad hollt mewn toddi silicon, trwy ffenomenon capilari, y silicon hylif ar hyd y hollt i fyny, gyda'r hylif silicon wafer silicon ar hyd yr anwedd hollt i fyny ymestyn, hynny yw, gyda lled gyfartal a thrwch band silicon; (2) Mae dull dendrit tebyg i naid yn DEFNYDDIO dau grisial hadau mân i ymestyn i mewn i'r silicon doddi mewn paralel, ac mae'r hylif silicon yn ffurfio ffilm silicon tebyg i leuad rhwng y crisialau hadau trwy gyfrwng tensiwn arwyneb, ac mae'n codi'r crisial hadau i fyny. (3) dull silindr silicon, yw defnyddio lled tua 125 mm, trwch o tua 0.2 mm o 9 darn o grisial had, wedi'i amgylchynu gan siâp 8 ochr, ymestyn y toddiant silicon, ac yna tynnu i fyny, gallwch gael Siâp 8-ochr o silindr silicon, gyda segmentiad laser, gallwch gael trwch unffurf, ansawdd gwell o silicon. Oherwydd twf cyflym tiwb silicon a cholli sglodion isel, mae effeithlonrwydd celloedd solar a wnaed o swbstradau tiwb silicon wedi cyrraedd 12% ~ 14.5%. (4) dull chwistrellu electronig, trwy chwistrell powdr silicon polycrystalline yn electronig i is-haen tymheredd uchel, gan ffurfio lled 60cm, sawl metr o hyd, gellir ei fandio â band silicon polycrystalline. Y paramedrau nodweddiadol o fodiwlau ffotofoltäig a wnaed o'r deunydd stribed silicon polycrystalline electronig hwn yw: resin pŵer allbwn. Silicon GV, dimensiwn geometrig (LxwxH) -1633mm pie 660mmx35mm (5) gradd solar: ystyrir yn gyffredinol ei fod yn fath rhad o silicon sy'n gallu cynhyrchu celloedd solar gydag effeithlonrwydd o fwy na 10%.
Mae dulliau'n cael eu datblygu i baratoi silicon gradd solar o adweithydd gwely hylifol a phuro pur o silicon metelegol. Defnyddiwyd y silicon polycrystalline gronynnog pur uchel a gynhyrchir o'r adweithydd gwely berwi wedi'i gatalyddu gan sinc fel deunydd crai ar gyfer celloedd solar silicon. Mae'r eiddo a'r broses weithgynhyrchu yr un fath â rhai celloedd solar silicon monocrystalline. Oherwydd bod tynnu silicon monocrystalline yn gofyn am lawer o ynni ac mae cost uchel cwarts purdeb uchel yn cynyddu'r risg, dechreuodd pobl archwilio'r defnydd o polysilicon fel deunydd ar gyfer gwneud celloedd solar yn y 1960au. Sy'n cynnwys yn bennaf: (l) polysilicon ffilm denau: mewn swbstrad rhad, fel silicon metelegol sy'n metelau), graffit, cerameg, gan ddefnyddio dull dyddodi anwedd cemegol (VCD), fel dull dyddodiad anwedd cemegol wedi'i wella ïonau (PCDV) a organig organig dull dyddodi anwedd cemegol (M (X 2 VD), tyfu haen o haen denau polycrystalline o 20 ~ 50 cymysgedd M, ac felly mae gan effeithlonrwydd celloedd solar silicon polycrystalline fwy na 10. (2) ingot polysilicon: caiff silicon tawdd ei oeri yn gyfeiriadol gan vortex graffit yn cynyddu i gael ingot polysilicon gyda threfniant hydredol o ffin grawn a maint grawn mawr, sy'n cael ei dorri gan beiriant torri aml-linell neu beiriant torri cylch mewnol 2 ~ 0.4 wafferi silicon polycrystalline trwchus ardal fawr Effeithlonrwydd y polycrystine mae cell solar silicon a wnaed o hyn wedi cyrraedd 17% ~ 18. O'i gymharu â'r silicon monocrystalline wedi'i dynnu, mae gan y silicon ingot hwn gylch cynhyrchu byr, t cynhyrchu mawr (hyd at 240 kg ar gyfer un ingot) a phris isel.
