Ffynhonnell: Deunyddiau Gweithredol Uwch
Amsugniad parasitig mewn electrodau tryloyw yw un o'r prif flociau ffordd i alluogi effeithlonrwydd trosi pŵer (PCE) ar gyfer celloedd solar tandem perovskite y tu hwnt i 30%. Er mwyn lleihau colledion o'r fath a gwneud y gorau o gyplu golau, dylid gwella tryloywder band eang electrodau o'r fath, yn enwedig ar flaen y ddyfais.
Mae'n gwella ymateb NIR mewn delwedd si / per tandems
Yn ddiweddar, dangosodd Erkan Aydin a coworkers o Labordy Ffotofoltäeg KAUST nodweddion electrodau tryloyw ocsid ocsid Zr - doped (IZRO) ar gyfer cymwysiadau o'r fath, gydag ymateb gwell ger-is-goch (NIR) o'i gymharu ag electrodau confensiynol indiwm ocsid (ITO) . Mae ffilmiau IZRO wedi'u optimeiddio yn cynnwys symudedd electronau uchel iawn (hyd at ≈ 77 cm2 V − 1 s − 1), gan alluogi ffilmiau tryloyw iawn sydd ag ymwrthedd i ddalen isel iawn ( ≈ 18 Ω −1 ar gyfer ffilmiau 100 nm a anelir). Ar gyfer dyfeisiau, mae hyn yn golygu amsugniad parasitig o ddim ond ≈ 5% ar gyfer IZRO yn y sbectrwm solar (250 - 2500 nm), i'w gymharu â ≈ 10% ar gyfer ITO masnachol.
Yn ogystal, mae'r tîm wedi adrodd am 26.2% PCE ar gyfer dyfeisiadau perovskite / silindr silicon terfynol pedwar - terfyn gyda gwelliant cyfredol cylched byr 3.5 mA cm − 2 mewn celloedd gwaelod silicon trwy gael IZRO yn lle electrodau masnachol ITO.
