P-math monocrystaline M4 waffer gyda dimensiwn o 161.7mm x 161.7mm.
1 Priodweddau materol
eiddo | manyleb | Dull Arolygu |
Dull twf | CZ | |
Crisialrwydd | Monocrystaline
| Technegau Etch a Ffafrir（ASTM F47-88） |
Math o dargludedd | Math P | Napson EC-80TPN Cymorth P/N |
Dopant
| Boron, Galliwm
| - |
Crynodiad ocsigen[Oi] | ≦8E+17 yn/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Crynodiad carbon[Cs] | ≦5E+16 yn/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Dwysedd pwll Etch (dwysedd dadleoli) | ≦500 cm-3 | Technegau Etch a Ffafrir（ASTM F47-88） |
Cyfeiriadedd wyneb | <100>±3° | Dull Gwasgariad pelydr-X (ASTM F26-1987) |
Cyfeiriadedd ochrau sgwâr ffug | <010>,<001>±3° | Dull Gwasgariad pelydr-X (ASTM F26-1987) |
2 Priodweddau trydanol
eiddo | manyleb | Dull Arolygu |
Gwrthsefyll | 0.5-1.5 Ωcm | System arolygu Wafer |
MCLT (oes cludwyr lleiafrifol) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (gyda lefel chwistrellu: 1E15 centimetr-3) |
3 geometreg
eiddo | manyleb | Dull Arolygu |
geometreg | Lled sgwâr | |
Wafer Hyd ochr | 161.7±0.25 mm | system arolygu wafferi |
Diamedr Wafer | φ221±0.25 mm | system arolygu wafferi |
Ongl rhwng ochrau cyfagos | 90° ± 0.2° | system arolygu wafferi |
trwch | 180﹢20/﹣10 μm; 170﹢20/﹣10 μm | system arolygu wafferi |
TTV (Cyfanswm yr amrywiad trwchus) | ≤27 μm | system arolygu wafferi |
4 Priodweddau arwyneb
eiddo | manyleb | Dull Arolygu |
Dull torri | DW | -- |
Ansawdd wyneb | fel y'u torrwyd a'u glanhau, ni chaniateir unrhyw halogiad gweladwy ( olew neu saim, printiau bysedd, staeniau sebon, staeniau slyri, staeniau epocsid/glud) | system arolygu wafferi |
Saw marciau / grisiau | ≤ 15μm | system arolygu wafferi |
bwa | ≤ 40 μm | system arolygu wafferi |
Rhyfela | ≤ 40 μm | system arolygu wafferi |
Sglodion | dyfnder ≤0.3mm a hyd ≤ 0.5mm Max 2/pcs; dim V-chip | Llygaid noeth neu system arolygu wafferi |
Micro graciau / tyllau | Heb ei ganiatáu | system arolygu wafferi |
Tagiau poblogaidd: p math m4 o waffer solar monocrystaline, Tsieina, cyflenwyr, gweithgynhyrchwyr, ffatri, a wnaed yn Tsieina
