4H Semi-waffer SiC inswleiddio

Mae swbstradau lled-inswleiddio SiC yn cynnig gwrthedd uchel a phriodweddau thermol rhagorol, gan eu gwneud yn addas ar gyfer twf heteroepitaxial GaN a chymwysiadau lled-ddargludyddion RF amledd uchel. Fel-perfformiad uchelswbstrad SiC, fe'i defnyddir yn eang ar gyfer dyfeisiau sy'n seiliedig ar HEMT mewn systemau cyfathrebu uwch, gan gynnwys seilwaith 5G.

Mae'r rhain yn lled-inswleiddiowafferi SiChefyd yn darparu priodweddau optegol a materol rhagorol, gan gefnogi cymwysiadau sy'n dod i'r amlwg mewn optoelectroneg ac electroneg gwisgadwy. 12-mae swbstradau SiC modfedd yn cynnig potensial ar gyfer cymwysiadau cenhedlaeth nesaf megis sbectol AR a dyfeisiau optegol uwch eraill.

 

6-modfedd
Diamedr	150.0mm+0mm/-0.2mm
Cyfeiriadedd Arwyneb	{0001}±0.2 gradd
Cyfeiriadedd Fflat Cynradd	/
Cyfeiriadedd Fflat Eilaidd	/
Hyd Fflat Cynradd	Rhic
Hyd Fflat Uwchradd	Dim
Cyfeiriadedd Rhic	<1100>±1.0 gradd
Dyfnder rhic	Dim 1mm+0.25mm/-0mm o'r ymyl
Ongl Rhic	90 gradd +5 gradd /-1 gradd
Trwch	500.0um ±25.0wm
Math	Semi-inswleiddio

 

 

 

8-modfedd
Diamedr	200.0mm+0mm/-0.5mm
Cyfeiriadedd Arwyneb	{0001}±0.2 gradd
Cyfeiriadedd Fflat Cynradd	/
Cyfeiriadedd Fflat Eilaidd	/
Hyd Fflat Cynradd	Rhic
Hyd Fflat Uwchradd	Dim
Cyfeiriadedd Rhic	<1100>±1.0 gradd
Dyfnder rhic	Dim 1mm+0.25mm/-0mm o'r ymyl
Ongl Rhic	90 gradd +5 gradd /-1 gradd
Trwch	500.0um ±25.0wm
Math	Semi-inswleiddio

 

 

12-modfedd
Diamedr	300.0mm+0mm/-0.5mm
Cyfeiriadedd Arwyneb	{0001}±0.5 gradd
Cyfeiriadedd Fflat Cynradd	/
Cyfeiriadedd Fflat Eilaidd	/
Hyd Fflat Cynradd	Rhic
Hyd Fflat Uwchradd	Dim
Cyfeiriadedd Rhic	<1100>±5.0 gradd
Dyfnder rhic	Dim 1mm+0.25mm/-0mm o'r ymyl
Ongl Rhic	90 gradd +5 gradd /-1 gradd
Trwch	750.0um ±25.0wm
Math	Semi-inswleiddio