N Math Cell Solar Silicon

Mae Technoleg Heterojunction Silicon (HJT) wedi'i seilio ar allyrrydd a maes wyneb cefn (BSF) sy'n cael eu cynhyrchu gan dwf tymheredd isel haenau uwch-denau o silicon amorffaidd (a-Si: H) ar ddwy

Mae cell solar 210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) gydag effeithlonrwydd 24.4 y cant a phŵer graddedig o 10.76Watt fesul cell.

Mae Technoleg Heterojunction Silicon (HJT) yn seiliedig ar allyrrydd a chae wyneb cefn (BSF) sy'n cael eu cynhyrchu gan dwf tymheredd isel haenau uwch-denau o silicon amorffaidd (a-Si:H) ar y ddwy

TOPCON (cyswllt passivated twnnel ocsid) hwb technoleg N math celloedd solar effeithlonrwydd hyd at 25 y cant .Industrial 210mm TOPCon cell solar yw gyda uchafswm effeithlonrwydd 24.4 y cant a phŵer

TOPCON (cyswllt wedi'i basio o ocsid twnnel) yn rhoi hwb i effeithlonrwydd celloedd solar math N hyd at 24.5%.Monocrystalline N math 182mm TopCon cell solar gyda phŵer graddedig 8.08Watt yn

Wedi'i huwchraddio o dechnoleg PERT, mae technoleg TOPCON (cyswllt goddefol ocsid twnnel) wedi'i gyfuno ag haen pasio AlOx / SiNx yn rhoi hwb i effeithlonrwydd celloedd solar math N 166mm hyd at

Mae celloedd solar silicon PERT mono bifacial N-math (cefn allyrrydd goddefol wedi'i wasgaru'n llwyr) yn meddu ar effeithlonrwydd trosi uchel a sefydlog. Gellir cynhyrchu cell solar PERT bifacial

Mae celloedd solar silicon PERT Mono bifacial N-math (cefn allyrrydd goddefol wedi'i wasgaru'n llwyr) yn meddu ar effeithlonrwydd trosi uchel a sefydlog. Ystyrir bod celloedd solar silicon math -N yn

Yn strwythur celloedd cyswllt cefn rhyng-ddigidol (IBC) mae'r allyrrydd a'r cyswllt ar ochr gefn y wafer sy'n caniatáu optimeiddio'r wyneb blaen yn annibynnol ar gyfer priodweddau optegol ac arwyneb

Mae celloedd solar silicon PERT Mono bifacial N-math (cefn allyrrydd goddefol wedi'i wasgaru'n llwyr) yn meddu ar effeithlonrwydd trosi uchel a sefydlog. Ystyrir bod celloedd solar silicon math -N yn