Mae ysgythriad cemegol â chymorth metel (MACE) yn ddull ysgythru gwlyb anisotropig a ddatblygwyd yn ddiweddar sy'n gallu cynhyrchu nanostrwythurau lled-ddargludyddion cymhareb agwedd uchel o ffilm fetel batrwm.
Mewn model a dderbynnir yn dda sy'n disgrifio proses MACE, mae'rocsidyddmae'n well ei leihau ar wynebcatalydd metel, a chwistrellir tyllau (h +) o gatalydd metel i Si neu trosglwyddir electronau (e−) o Si i gatalydd metel. Si sydd o dan gatalydd metel sydd â'r mwyafswmcrynodiad twll, felly yocsidiada diddymiad Si yn digwydd yn ffafriol o dan gatalydd metel.
Gwelir bod effeithlonrwydd trosi ynni solar yn cynyddu pan fydd SiNWs gydacymhareb agwedd uchelyn cael eu cyflogi yn wyneb arbelydru golau slar.
1 Cyflwr arwyneb
Paramedr | Proses | Myfyrdod |
Ochr Flaen | ||
Cyflwr arwyneb | Metel Ysgythriad Cemegol â Chymorth | Isel |
Ochr Gefn | ||
Cyflwr arwyneb | Sgleinio neu wead | Uchel neu isel |
2 Priodweddau materol
Eiddo | Manyleb | Dull Arolygu |
Dull twf | solidiad cyfeiriadol | XRD |
Crystallinity | polycrystalline | Technegau Ysgythriad Ffafriol（ASTM F47-88） |
Math dargludedd | Math-P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant | Boron | - |
Crynodiad ocsigen [Oi] | ≦1E+17 ar / cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Crynodiad carbon [Cs] | ≦1E+18 ar / cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
3 Priodweddau trydanol
Eiddo | Manyleb | Dull Arolygu |
Gwrthiant | 0.5-2 Ωcm (Ar ôl anelio) | System archwilio wafer |
MCLT (oes cludwr lleiafrifol) | ≧2 μs | Sinton QSSPC |
4 Geometreg
Eiddo | Manyleb | Dull Arolygu |
Geometreg | Sgwâr neu betryal | System archwilio wafer |
Siâp ymyl bevel | Llinell | System archwilio wafer |
Maint wafer (Hyd ochr * hyd ochr) | 156mm * 156mm 157mm * 186mm 166mm * 166mm | System archwilio wafer |
Ongl rhwng yr ochrau cyfagos | 90±3° | System archwilio wafer |
Tagiau poblogaidd: wafer solar polycrystalline math p wyneb silicon du gan gynnwys 166mm * 166mm, Tsieina, cyflenwyr, gweithgynhyrchwyr, ffatri, a wnaed yn Tsieina
